Компания Qualcomm объявила, что новый процессор Snapdragon 835 она будет разрабатывать в партнерстве с Samsung. Новый SoC базируется на основе технологического процесса 10 нм FinFET, что позволит сделать его еще меньше.

По словам Qualcomm, новый 10нм техпроцесс FinFET сможет обеспечить на 30% большую удельную эффективность поверхности, на 27% более высокую производительность, и снизить энергопотребление на 40%.

Производителям аппаратных средств уменьшенный размер чипа позволит встраивать дополнительные компоненты или, к примеру, устанавливать в устройства большие аккумуляторы.

Кроме того, этот техпроцесс позволит использовать новую технологию быстрой зарядки Quick Charge 4, которая сможет за 5 минут зарядки устройства обеспечить 5 часов его автономной работы.

Устройства на базе процессора Snapdragon 835 от Qualcomm должны появиться на рынке уже в начале следующего года.