Несколько дней назад Qualcomm официально анонсировала свой новый процессор Snapdragon 835, а теперь, наконец, стали известны характеристики чипсета, который появится в смартфонах в первой половине 2017 года и, по слухам, будет интегрирован в Samsung Galaxy S8.
Snapdragon 835 будет производиться на базе техпроцесса Samsung 10nm FinFET, фактический номер модели: MSM 8998. Будет использована архитектура Kyro 200 с 8 ядрами, но частота пока неизвестна.
Кроме этого Snapdragon 835 сможет похвастаться новым более производительным GPU Adreno 540, поддержкой UFS 2.1 со скоростью скачивания до 1 Гбит/с, LTE X16, LTE Cat.16 и четырехканальной памятью LPDDR4X-1866.
Также стали известны детали спецификации Snapdragon 660. Он будет производиться согласно техпроцессу 14 нм Samsung FinFET LPP, иметь максимальную тактовую частоту 2,2 ГГц, GPU Adreno 512, UFS 2.1 и поддерживать двухканальную память LPDDR4X-1866.
Snapdragon 660 появится в производстве уже во второй половине 2017 года.